Toshiba desenvolve o primeiro módulo MOSFET duplo de carboneto de silício (SiC) de 2200 V da indústria que contribui para alta eficiência e redução de equipamentos industriais

Toshiba: MG250YD2YMS3, o primeiro módulo MOSFET duplo de carboneto de silício (SiC) de 2200 V da indústria.

KAWASAKI, Japão--(BUSINESS WIRE)--28 de agosto de 2023--

A Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") desenvolveu o “MG250YD2YMS3”, o primeiro [1] módulo MOSFET duplo de carboneto de silício (SiC) de 2200 V da indústria para equipamentos industriais. O novo módulo tem corrente de drenagem (DC) de 250A e usa chips SiC MOSFET de terceira geração da empresa. É adequado para aplicações que utilizam DC1500V, como sistemas de energia fotovoltaica e sistemas de armazenamento de energia. As remessas de volume começam hoje.

Este comunicado de imprensa apresenta multimídia. Veja o comunicado completo aqui: https://www.businesswire.com/news/home/20230828128640/en/

Toshiba: MG250YD2YMS3, o primeiro módulo MOSFET duplo de carboneto de silício (SiC) de 2200 V da indústria. (Gráfico: Business Wire)

Aplicações industriais como as mencionadas acima geralmente usam energia DC1000V ou inferior, e seus dispositivos de energia são principalmente produtos de 1200V ou 1700V. No entanto, antecipando o uso generalizado de DC1500V nos próximos anos, a Toshiba lançou o primeiro produto de 2200V da indústria.

MG250YD2YMS3 oferece baixa perda de condução com baixa tensão de ligação da fonte de drenagem (senso) de 0,7 V (típ.) [2]. Ele também oferece menor perda de comutação ao ligar e desligar de 14mJ (típ.) [3] e 11mJ (típ.) [3] respectivamente, uma redução de aproximadamente 90% [4] em relação a um IGBT de silício (Si) típico. Essas características contribuem para maior eficiência do equipamento. A obtenção de baixas perdas de comutação também permite que o circuito convencional de três níveis seja substituído por um circuito de dois níveis com menor contagem de módulos, contribuindo para a miniaturização do equipamento.

A Toshiba continuará a atender às necessidades do mercado em termos de alta eficiência e redução de equipamentos industriais.

Notas:

[1] Entre módulos MOSFET duplos de SiC. Pesquisa da Toshiba, em agosto de 2023.

[2] Condição de teste: ID =250A, V GS =+20V, T ch =25°C

[3] Condição de teste: V DD =1100V, ID =250A, T ch =150°C

[4] Comparação da perda de comutação da Toshiba para um módulo 2300V Si e MG250YD2YMS3, o novo módulo MOSFET totalmente SiC, em agosto de 2023 (os valores de desempenho para o módulo 2300V Si são uma estimativa da Toshiba baseada em artigos publicados em ou antes de março de 2023.)

Formulários

Equipamento industrial

- Sistemas de geração de energia renovável (sistemas de energia fotovoltaica, etc.)

- Sistemas de armazenamento de energia

- Equipamentos de controle de motores para equipamentos industriais

- Conversor DC-DC de alta frequência, etc.

Características

Especificações principais

(T c =25°C salvo indicação em contrário)

Número da peça

MG250YD2YMS3

Nome do pacote da Toshiba

2-153A1A

Absoluto

máximo

classificações

Tensão da fonte de drenagem V DSS (V)

2200

Tensão porta-fonte V GSS (V)

+25/-10

Corrente de drenagem (DC) ID (A)

250

Corrente de drenagem (pulsada) I DP (A)

500

Temperatura do canal T ch (°C)

150

Tensão de isolamento V isol (Vrms)

4000

Elétrico

características

Tensão ligada da fonte de drenagem (senso)

V DS(on)sentido (V)

ID=250A, VGS=+20V,

T·ch ＝25°C

tipo.

0,7

Tensão ligada fonte-dreno (senso)

V SD(ligado)senso (V)

É=250A, VGS=+20V,

T·ch ＝25°C

tipo.

0,7

Tensão de desligamento da fonte-dreno (senso)

V SD(desligado)senso (V)

É <250A, V GS =-6V,

T·ch ＝25°C

tipo.

1.6

Perda de comutação ao ligar

E em (mJ)

VDD=1100V,

ID = 250A, T ch = 150°C

tipo.

Perda de comutação de desligamento

E desligado (mJ)

tipo.

Indutância parasita L sPN (nH)

tipo.

Siga o link abaixo para saber mais sobre o novo produto.

MG250YD2YMS3

Siga o link abaixo para saber mais sobre os dispositivos SiC Power da Toshiba.

Dispositivos de energia SiC

*Nomes de empresas, nomes de produtos e nomes de serviços podem ser marcas registradas de suas respectivas empresas.

*As informações contidas neste documento, incluindo preços e especificações de produtos, conteúdo de serviços e informações de contato, são atuais na data do anúncio, mas estão sujeitas a alterações sem aviso prévio.